凤凰配资三菱电机：将持续投入功率器件与光器件领域

来源：上海证券报·中国证券网凤凰配资

上证报中国证券网讯（记者刘怡鹤）在近日举行的三菱电机半导体媒体发布会上，三菱电机方面表示，未来几年将持续在功率半导体领域投入，特别是碳化硅（SiC）及其他宽禁带技术的研发与产业化。公司在日本熊本县建设的8英寸SiC晶圆新工厂将于2025年11月投产；日本福冈县的新模块组装与检测工厂则预计在2026年10月投产，以扩大产能，提升制造效率，满足全球快速增长的市场需求。

对于半导体业务的投资计划，三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部总经理赤田智史接受上证报记者采访表示，此前三菱电机计划到2025年财年在功率器件业务上投入大约2600亿日元凤凰配资，目前正推迟部分产能扩建计划，并将这些资金重新配置到光通讯器件业务中，以提升这部分的产能。

三菱电机近期发布的财报显示，公司2025财年（2024年4月至2025年3月）业绩创历史新高，实现营收55217亿日元，营业利润3918亿日元。在半导体业务方面，三菱电机2025财年营收为2863亿日元，营业利润406亿日元，主要得益于光通信器件需求增长及产品结构优化。2026财年，公司半导体业务营收预计增至2900亿日元，营业利润预计为310亿日元。三菱电机方面表示，虽受汇率及摊销成本影响利润有所调整，但公司仍持续投入功率器件与光器件领域，强化市场竞争力。

在技术演进方面，公司SiC技术将保持“两年一代”的节奏：2026年推出Gen.5、2028年推出Gen.6，并逐步将电压等级从1.7kV扩展至2.5kV，从3.3kV扩展至6.5kV，面向可再生能源、固态变压器（SST/PET）、高压直流输电（HVDC）等高压应用。硅基技术方面，公司也将持续推进第9代IGBT的研发，探索多栅极和双面控制等新结构，不断挑战损耗与可靠性的极限。

三菱电机创立于1921年，是全球知名综合性企业集团。三菱电机深耕半导体领域69年，凭借多项核心专利与产业化能力，在全球电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件及家电市场占据重要地位。其半导体产品广泛覆盖变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通信及有线/无线通信等关键领域凤凰配资，为各行业高效运行与绿色转型提供核心支撑。